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2.具有納米材料制備、材料性能表征、相變流動傳熱傳質(zhì)、有限元分析等至少一個方面的豐富經(jīng)驗和學術(shù)功底；

3.熟悉光刻、刻蝕、蒸發(fā)、剝離、沉積、酸堿處理等各單步工藝及其工藝流程的整合優(yōu)先考慮。

2.負責cvd材料生長工藝研發(fā)，配合其他人員開展材料制備工作；

3.負責微納加工，協(xié)助完成項目目標；

4.為實驗室的前沿科學探索項目提供技術(shù)支持。

1.年薪14-50萬元，提供具有市場競爭力的薪酬,具體工資一人一議。特別優(yōu)秀者年薪可達50萬元以上。

2.良好的校園工作環(huán)境，正常的工作時間（無三班倒），享受國家法定節(jié)假日，提供靈活的寒暑假期，寒暑假天數(shù)和績效掛鉤，績效優(yōu)異者或做出重大貢獻者，可增加至三周假期。

3.根據(jù)工作表現(xiàn)，提供有競爭性年終獎，重大突出成就或貢獻者，高達6個月的績效獎。

4.提供子女就讀交大附屬學校機會，表現(xiàn)優(yōu)異者提供入編機會。

（二）博士后

1.博士后崗位綜合年薪24-50萬元。支持申請“勵遠博士后”：入選者在站期間若獲得“中國博士后創(chuàng)新人才計劃支持”或“上海市超級博士后激勵計劃”資助，在計劃執(zhí)行期間，薪酬不低于50萬元/年。

2.博士后按照上海市和上海交通大學博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜，可享受博士后公寓，博士后出站若留上海工作，配偶及子女可隨遷落戶。

3.博士后取得優(yōu)秀科研成果、滿足上交教研系列要求者，經(jīng)評估后可推薦留校獲教軌教職。

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2.組裝零部件，實現(xiàn)整機功能；

3.解決在科研實驗或設(shè)備工具的問題，提供后續(xù)設(shè)備改進工作目標

2.有集成電路前端設(shè)計經(jīng)驗最好，無工作經(jīng)驗的需有扎實的ic設(shè)計背景和開疆拓荒的熱情；

3.熟悉使用數(shù)字前端eda工具，熟悉掌握verilog硬件描述語言，熟悉perl、shell等常用腳本語言；

2.參與流片后的測試工作；

2.在自動控制系統(tǒng)設(shè)計和搭建方面有豐富經(jīng)驗，熟悉常見通訊方式及原理，至少熟悉一門編程語言，對嵌入式開發(fā)或上位機開發(fā)有豐富的經(jīng)驗。

3.具有廣泛的計算機硬件系統(tǒng)知識，熟悉通用操作系統(tǒng)、辦公軟件，熟悉局域網(wǎng)和無線網(wǎng)絡(luò)，了解數(shù)據(jù)庫和網(wǎng)絡(luò)安全系統(tǒng)，能夠解決復雜的軟件和硬件問題。

2.參與設(shè)備搭建和改造，主導完成設(shè)備自動化控制研發(fā)；

3.管理軟件許可證，維護和升級現(xiàn)有的計算機系統(tǒng)；

4.工作站并行計算作業(yè)管理器的設(shè)置和優(yōu)化；

5.維護軟硬件升級記錄，維護設(shè)備操作規(guī)程及軟件使用策略；

6.協(xié)助參與其他實驗室建設(shè)和相關(guān)管理工作。

2.擁有相關(guān)儀器設(shè)備的搭建維護工作經(jīng)驗者優(yōu)先；

2.采用多種表征技術(shù)，特別是基于電學模式原子力顯微鏡的表征技術(shù)，對二維材料與電子器件進行包括電學特性在內(nèi)的多重性質(zhì)表征；

3.協(xié)助pi開發(fā)實驗新技術(shù),協(xié)助研究團隊的科研工作,為實驗室提供專業(yè)的技術(shù)支撐；

4.其它與科研相關(guān)的工作

2.申請人需具有博士學位或即將完成博士學業(yè)。

3.申請人需擁有材料生長和合成基礎(chǔ)，并在納米材料表征方向（拉曼光譜，掃描電子顯微鏡，穿透式電子顯微鏡，光譜橢圓偏振等）有一定經(jīng)驗。有接觸真空設(shè)備的操作和維護經(jīng)驗的申請人優(yōu)先考慮。

4.申請人能夠參加實驗室設(shè)備的搭建活動，并積極學習和研究各類軟硬件的操作方式。有l(wèi)abview和編程經(jīng)驗的申請人優(yōu)先考慮。

2.受聘者需有吃苦耐勞精神，能夠解決項目中的相關(guān)問題，協(xié)助搭建和維護mocvd設(shè)備，優(yōu)化生長工藝，并積極與實驗室其他團隊合作，為實驗室電子器件制備提供支持。

3.受聘者需定期匯報和總結(jié)實驗結(jié)果，在期刊雜志上發(fā)表文章，并擁有在國內(nèi)國際會議上發(fā)表演講的能力。

2.具有固態(tài)物理器件，半導體物理相關(guān)背景的優(yōu)先考慮；

3.精通于量子計算（dft-negf）

2.通過計算模擬（密度泛函理論(dft)及第一性原理技術(shù)）的方式研究和尋找合適的材料。

3.通過量子或者經(jīng)典的輸運模型評測某種材料的器件表現(xiàn)。

4.涉及與實驗小組的密切合作，以驗證預測、驗證結(jié)果和解釋觀察結(jié)果。

2.具有原子力顯微鏡、電學模式原子力顯微鏡或半導體材料表征相關(guān)經(jīng)驗者優(yōu)先。

2.根據(jù)項目需求，采用多種表征技術(shù)，特別是基于電學模式原子力顯微鏡的表征技術(shù)，對二維材料與電子器件進行包括電學特性在內(nèi)的多重性質(zhì)表征，并與其他團隊合作，解決項目中的相關(guān)問題。

2.具有二維器件、鐵電功能器件或二維納米材料表征相關(guān)經(jīng)驗者優(yōu)先。

2.根據(jù)項目需求，設(shè)計并開發(fā)高性能高可靠性電子器件技術(shù)，包括相關(guān)器件的設(shè)計、制備以及測試表征等。

3.定期匯報和總結(jié)實驗結(jié)果，申請相關(guān)方向?qū)＠l(fā)表高水平研究論文。

2.有豐富的實驗科研經(jīng)歷，對制造技術(shù)和半導體技術(shù)有比較全面的了解。

3.熟悉工程經(jīng)濟學，經(jīng)濟學基本原理。

4.思維活躍，優(yōu)秀的邏輯分析、歸納總結(jié)及解決問題能力。

5.具有半導體企業(yè)工作經(jīng)驗，或在研究機構(gòu)/券商擔任過半導體行業(yè)分析研究工作優(yōu)先。

2.準確估計現(xiàn)有技術(shù)的成本，

3.通過與現(xiàn)有技術(shù)成本的比較，分析新技術(shù)的成本競爭力，并給予反饋，優(yōu)化新技術(shù)的研發(fā)過程。

2.熟悉一個或多個主流eda工具 （cadence virtuoso，ic compiler synopsis, calibre mentor graphics等）；

3.具有良好的科研能力和中英文寫作水平，以第一作者身份發(fā)表過高檔次研究論文。

2.探索基于新型二維材料/柔性電子器件的電路設(shè)計與優(yōu)化；

3.探索基于新型二維材料/柔性電子器件在可穿戴設(shè)備， 智能iot以及人機接口的應(yīng)用。

2.具有固態(tài)物理器件，半導體物理或者電路設(shè)計的背景。

3.精通于量子計算（dft-negf），器件模擬（tcad）。

2.主要課題包括：

a）為器件的應(yīng)用通過計算模擬的方式研究和尋找合適的材料。

b）通過量子或者經(jīng)典的輸運模型評測某種材料的器件表現(xiàn)。

c）通過tcad開發(fā)不同的器件模型，為新型晶體管比如納米線晶體管或finfet設(shè)計電路。